Novel Gate-All-Around Metal–Oxide–Semiconductor Field...

Japanese Journal of Applied Physics 2007 / 4 Vol. 46; Iss. 4B

Novel Gate-All-Around Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with Self-Aligned Structure

Song, Jae Young, Choi, Woo Young, Kim, Jong Pil, Kim, Sang Wan, Lee, Jong Duk, Park, Byung-Gook
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Volume:
46
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.46.2046
Date:
April, 2007
Fichier:
PDF, 380 KB
english, 2007
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