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Low Density of Gap States in a-Si:H Deposited by Vacuum UV...

Japanese Journal of Applied Physics 1991 / 4 Vol. 30; Iss. Part 2, No

Low Density of Gap States in a-Si:H Deposited by Vacuum UV Direct Photochemical Vapor Deposition Method

Shirafuji, Tatsuru, Yoshimoto, Masahiro, Fuyuki, Takashi, Matsunami, Hiroyuki
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Volume:
30
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.30.L538
Date:
April, 1991
Fichier:
PDF, 483 KB
1991
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