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Analysis of Gate Disturbance Degradation by Nitridation of...

Japanese Journal of Applied Physics 2001 / 4 Vol. 40; Iss. Part 1, No

Analysis of Gate Disturbance Degradation by Nitridation of Flash Tunnel Oxide

Arai, Masatoshi, Hashidzume, Takahiko, Nitta, Toshinari, Odake, Yoshinori, Matsuo, Ichiro
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Volume:
40
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.40.2969
Date:
April, 2001
Fichier:
PDF, 248 KB
english, 2001
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