New Ga0.47In0.53As sheet-charge field-effect transistor for...

Electronics Letters 1983 Vol. 19; Iss. 19

New Ga0.47In0.53As sheet-charge field-effect transistor for long-wavelength optoelectronic integration

Chen, C.Y., Alavi, K., Cho, A.Y., Garbinski, P.A., Pang, Y.M.
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Volume:
19
Année:
1983
Langue:
english
Journal:
Electronics Letters
DOI:
10.1049/el:19830539
Fichier:
PDF, 342 KB
english, 1983
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