Investigation of Gate-Induced Drain Leakage (GIDL) Current...

Japanese Journal of Applied Physics 2003 / 4 Vol. 42; Iss. Part 1, No

Investigation of Gate-Induced Drain Leakage (GIDL) Current in Thin Body Devices: Single-Gate Ultra-Thin Body, Symmetrical Double-Gate, and Asymmetrical Double-Gate MOSFETs

Choi, Yang-Kyu, Ha, Daewon, King, Tsu-Jae, Bokor, Jeffrey
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Volume:
42
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.42.2073
Date:
April, 2003
Fichier:
PDF, 189 KB
english, 2003
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