Ultra-high resistive switching mechanism induced by oxygen...

Applied Physics Letters 2014 / 12 Vol. 105; Iss. 22

Ultra-high resistive switching mechanism induced by oxygen ion accumulation on nitrogen-doped resistive random access memory

Chu, Tian-Jian, Tsai, Tsung-Ming, Chang, Ting-Chang, Chang, Kuan-Chang, Pan, Chih-Hung, Chen, Kai-Huang, Chen, Jung-Hui, Chen, Hsin-Lu, Huang, Hui-Chun, Shih, Chih-Cheng, Syu, Yong-En, Zheng, Jin-Chen
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Volume:
105
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.4902503
Date:
December, 2014
Fichier:
PDF, 977 KB
english, 2014
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