n+-GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy: Application...

Applied Physics Letters 2014 / 11 Vol. 105; Iss. 20

n+-GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy: Application to regrown contacts

Lugani, L., Malinverni, M., Tirelli, S., Marti, D., Giraud, E., Carlin, J.-F., Bolognesi, C. R., Grandjean, N.
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Volume:
105
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.4902347
Date:
November, 2014
Fichier:
PDF, 667 KB
english, 2014
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