Temperature bistability in a silicon wafer with a doped...

Materials Science in Semiconductor Processing 2015 / 06 Vol. 34

Temperature bistability in a silicon wafer with a doped layer on lamp-based heating

Prigara, V.P., Ovcharov, V.V., Rudakov, V.I.
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Volume:
34
Langue:
english
Journal:
Materials Science in Semiconductor Processing
DOI:
10.1016/j.mssp.2015.01.042
Date:
June, 2015
Fichier:
PDF, 3.68 MB
english, 2015
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