Coalescence of GaAs on (001) Si nano-trenches based on...

Applied Physics Letters 2015 / 05 Vol. 106; Iss. 20

Coalescence of GaAs on (001) Si nano-trenches based on three-stage epitaxial lateral overgrowth

He, Yunrui, Wang, Jun, Hu, Haiyang, Wang, Qi, Huang, Yongqing, Ren, Xiaomin
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Volume:
106
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.4921621
Date:
May, 2015
Fichier:
PDF, 2.57 MB
english, 2015
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