Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated...

Materials Science Forum 2011 / 3 Vol. 679-680

Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-Rays

Ohshima, Takeshi, Iwamoto, Naoya, Onoda, Shinobu, Makino, Takahiro, Nozaki, Shinji, Kojima, Kazutoshi
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Volume:
679-680
Langue:
english
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.362
Date:
March, 2011
Fichier:
PDF, 1005 KB
english, 2011
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