Impact of charged basal stacking faults on the mobility of...

Semiconductor Science and Technology 2015 / 08 Vol. 30; Iss. 8

Impact of charged basal stacking faults on the mobility of two-dimensional electron gas in nonpolar a -plane AlGaN/GaN heterostructures

Zhang, Jinfeng, Yan, Ran, Liu, Guipeng, Liu, Haonan, An, Bei, Nie, Yuhu, Hao, Yue
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Volume:
30
Langue:
english
Journal:
Semiconductor Science and Technology
DOI:
10.1088/0268-1242/30/8/085007
Date:
August, 2015
Fichier:
PDF, 824 KB
english, 2015
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