Fabrication of 32 nm Vertical nMOSFETs with Asymmetric...

Journal of The Electrochemical Society 2008 Vol. 155; Iss. 3

Fabrication of 32 nm Vertical nMOSFETs with Asymmetric Graded Lightly Doped Drain Structure

Zhou, Falong, Huang, Ru, Wu, Dake, An, Xia, Guo, Ao, Xu, Xiaoyan, Zhang, Dacheng, Zhang, Xing, Wang, Yangyuan
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Volume:
155
Année:
2008
Langue:
english
Journal:
Journal of The Electrochemical Society
DOI:
10.1149/1.2830945
Fichier:
PDF, 403 KB
english, 2008
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