Photoluminescence from pressure-annealed silicon dioxide...

Microelectronics Reliability 2000 Vol. 40; Iss. 4-5

Photoluminescence from pressure-annealed silicon dioxide and nitride films

A Misiuk, A Iller, L Rebohle, M Łukaszewicz, A Kudła
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Volume:
40
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/s0026-2714(99)00332-7
Fichier:
PDF, 150 KB
english, 2000
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