Modular approach of a high current MOS compact model for...

Microelectronics Reliability 2000 Vol. 40; Iss. 1

Modular approach of a high current MOS compact model for circuit-level ESD simulation including transient gate-coupling behaviour

Markus Mergens, Wolfgang Wilkening, Stephan Mettler, Heinrich Wolf, Wolfgang Fichtner
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Volume:
40
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
17
DOI:
10.1016/s0026-2714(99)00216-4
Fichier:
PDF, 601 KB
english, 2000
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