Characterizations of GaN films grown with indium surfactant...

Microelectronics Reliability 2002 Vol. 42; Iss. 8

Characterizations of GaN films grown with indium surfactant by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy

W.K Fong, C.F Zhu, B.H Leung, C Surya, B Sundaravel, E.Z Luo, J.B Xu, I.H Wilson
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Volume:
42
Année:
2002
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/s0026-2714(02)00086-0
Fichier:
PDF, 120 KB
english, 2002
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