Suppression of boron penetration through thin gate oxides...

Microelectronics Reliability 2001 Vol. 41; Iss. 7

Suppression of boron penetration through thin gate oxides by nitrogen implantation into the gate electrode in PMOS devices

S Strobel, A.J Bauer, M Beichele, H Ryssel
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Volume:
41
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/s0026-2714(01)00072-5
Fichier:
PDF, 547 KB
english, 2001
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