Bulk and surface degradation mode in 0.35μm technology...

Microelectronics Reliability 2000 Vol. 40; Iss. 8-10

Bulk and surface degradation mode in 0.35μm technology gg-nMOS ESD protection devices

D Pogany, K Esmark, M Litzenberger, C Fürböck, H Gossner, E Gornik
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Volume:
40
Année:
2000
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/s0026-2714(00)00157-8
Fichier:
PDF, 478 KB
english, 2000
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