High power lasers based on submonolayer InAs–GaAs quantum...

Microelectronics Journal 2003 Vol. 34; Iss. 5-8

High power lasers based on submonolayer InAs–GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells

A.R Kovsh, A.E Zhukov, N.A Maleev, S.S Mikhrin, D.A Livshits, Y.M Shernyakov, M.V Maximov, N.A Pihtin, I.S Tarasov, V.M Ustinov, Zh.I Alferov, J.S Wang, L Wei, G Lin, J.Y Chi, N.N Ledentsov, D Bimberg
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Volume:
34
Année:
2003
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1016/s0026-2692(03)00082-x
Fichier:
PDF, 107 KB
english, 2003
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