A monolithic IGBT gate driver for intelligent power modules...

Microelectronics Journal 2001 Vol. 32; Iss. 5-6

A monolithic IGBT gate driver for intelligent power modules implemented in 0.8 μm high voltage (50 V) CMOS process

J.M Park, E.D Kim, S.C Kim, N.K Kim, W Bahng, G.H Song, S.B Han
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Volume:
32
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/s0026-2692(01)00026-x
Fichier:
PDF, 348 KB
english, 2001
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