Heavily tellurium doped n-type InGaAs grown by MOCVD on...

Journal of Crystal Growth 2015 / 09 Vol. 426

Heavily tellurium doped n-type InGaAs grown by MOCVD on 300mm Si wafers

Orzali, Tommaso, Vert, Alexey, Lee, Rinus T.P., Norvilas, Aras, Huang, Gensheng, Herman, Joshua L., Hill, Richard J.W., Rao, Satyavolu S. Papa
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Volume:
426
Langue:
english
Journal:
Journal of Crystal Growth
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2015.05.007
Date:
September, 2015
Fichier:
PDF, 1.47 MB
english, 2015
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