Growth of Gate Oxides on 4H-SiC by NO at Low Partial...

Materials Science Forum 2014 / 2 Vol. 778-780

Growth of Gate Oxides on 4H-SiC by NO at Low Partial Pressures

Haasmann, Daniel, Dimitrijev, Sima, Han, Ji Sheng, Iacopi, Alan
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
778-780
Langue:
english
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.627
Date:
February, 2014
Fichier:
PDF, 657 KB
english, 2014
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué