Degradation of Majority Carrier Conductions and Blocking...

MRS Proceedings 2008 / 1 Vol. 1069

Degradation of Majority Carrier Conductions and Blocking Capabilities in 4H-SiC High Voltage Devices due to Basal Plane Dislocations

Ryu, Sei-Hyung, Zhang, Qingchun, Fatima, Husna, Haney, Sarah, Stahlbush, Robert, Agarwal, Anant
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Volume:
1069
Langue:
english
Journal:
MRS Proceedings
DOI:
10.1557/proc-1069-d07-17
Date:
January, 2008
Fichier:
PDF, 2.18 MB
english, 2008
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