A structural study of phase transitions within GaN layers...

Journal of Crystal Growth 2001 Vol. 230; Iss. 3-4

A structural study of phase transitions within GaN layers grown by low-temperature molecular beam epitaxy

S. Marlafeka, N. Bock, T.S. Cheng, S.V. Novikov, A.J. Winser, I. Harrison, C.T. Foxon, P.D. Brown
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Volume:
230
Année:
2001
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/s0022-0248(01)01242-8
Fichier:
PDF, 215 KB
english, 2001
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