Properties of Low-k Copper Barrier SiOCH Film Deposited by...

Journal of The Electrochemical Society 2003 Vol. 150; Iss. 5

Properties of Low-k Copper Barrier SiOCH Film Deposited by PECVD Using Hexamethyldisiloxane and N[sub 2]O

Ishimaru, Tomomi, Shioya, Yoshimi, Ikakura, Hiroshi, Nozawa, Mamoru, Ohgawara, Shoji, Ohdaira, Toshiyuki, Suzuki, Ryoichi, Maeda, Kazuo
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Volume:
150
Année:
2003
Langue:
english
Journal:
Journal of The Electrochemical Society
DOI:
10.1149/1.1562600
Fichier:
PDF, 1.29 MB
english, 2003
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