Origin Investigation of a Nitrogen-Related Recombination...

Japanese Journal of Applied Physics 2011 / 5 Vol. 50; Iss. 5

Origin Investigation of a Nitrogen-Related Recombination Center in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy

Bouzazi, Boussairi, Lee, Jong-Han, Suzuki, Hidetoshi, Kojima, Nobuaki, Ohshita, Yoshio, Yamaguchi, Masafumi
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Volume:
50
Langue:
english
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/jjap.50.051001
Date:
May, 2011
Fichier:
PDF, 669 KB
english, 2011
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