A novel planar vertical double-diffused...

Chinese Physics B 2011 / 12 Vol. 20; Iss. 12

A novel planar vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with inhomogeneous floating islands

Ren, Min, Li, Ze-Hong, Liu, Xiao-Long, Xie, Jia-Xiong, Deng, Guang-Min, Zhang, Bo
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Volume:
20
Langue:
english
Journal:
Chinese Physics B
DOI:
10.1088/1674-1056/20/12/128501
Date:
December, 2011
Fichier:
PDF, 418 KB
english, 2011
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