300°C operation of normally-off AlGaN/GaN MOSFET with low...

Electronics Letters 2014 / 02 Vol. 50; Iss. 4

300°C operation of normally-off AlGaN/GaN MOSFET with low leakage current and high on/off current ratio

Zhang, Jincheng, Cai, Yong, Xu, Zhe, Hao, Yue, Wang, Maojun, Liu, Jingqian, Yang, Zhen, Wang, Jinyan, Yu, Min, Yang, Zhenchuang, Xie, Bin, Li, Xiaoping, Wu, Wengang, Ma, Xiaohua
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
50
Langue:
english
Journal:
Electronics Letters
DOI:
10.1049/el.2013.3928
Date:
February, 2014
Fichier:
PDF, 348 KB
english, 2014
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué