High carrier mobility in Si-MOSFETs with a hexagonal boron...

Solid State Communications 2015 / 05 Vol. 209-210

High carrier mobility in Si-MOSFETs with a hexagonal boron nitride buffer layer

Liu, Xiaochi, Hwang, E.H., Yoo, Won Jong, Lee, Suyoun, Cheong, Byung-ki
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Volume:
209-210
Langue:
english
Journal:
Solid State Communications
DOI:
10.1016/j.ssc.2014.09.027
Date:
May, 2015
Fichier:
PDF, 1012 KB
english, 2015
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