C-Face Epitaxial Growth of 4H-SiC on Quasi-150-mm Diameter...

Materials Science Forum 2014 / 2 Vol. 778-780

C-Face Epitaxial Growth of 4H-SiC on Quasi-150-mm Diameter Wafers with High Throughput

Nishio, Johji, Kudou, Chiaki, Tamura, Kentaro, Masumoto, Keiko, Kojima, Kazutoshi, Ohno, Toshiyuki
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Volume:
778-780
Langue:
english
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.109
Date:
February, 2014
Fichier:
PDF, 724 KB
english, 2014
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