High Temperature Hydrogen Sensor Based on Silicon Carbide...

Materials Science Forum 2014 / 2 Vol. 778-780

High Temperature Hydrogen Sensor Based on Silicon Carbide (SiC) MOS Capacitor Structure

Ofrim, Bogdan, Brezeanu, Gheorghe, Draghici, Florin, Rusu, Ion
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Volume:
778-780
Langue:
english
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1054
Date:
February, 2014
Fichier:
PDF, 1.10 MB
english, 2014
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