Study of Oxides Formed in HfO2/Si Structure for High-k...

Solid State Phenomena 2012 / 3 Vol. 186

Study of Oxides Formed in HfO2/Si Structure for High-k Dielectric Applications

Łaszcz, Adam, Czerwiński, Andrzej, Ratajczak, Jacek, Taube, Andrzej, Gierałtowska, Sylwia, Piotrowska, Anna, Kątcki, Jerzy
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Volume:
186
Langue:
english
Journal:
Solid State Phenomena
DOI:
10.4028/www.scientific.net/SSP.186.78
Date:
March, 2012
Fichier:
PDF, 3.01 MB
english, 2012
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