Controlling Process of P Diffusion in Si Based on the Pair...

Defect and Diffusion Forum 2001 Vol. 194-199

Controlling Process of P Diffusion in Si Based on the Pair Diffusion Model

Yoshida, Masayuki, Morooka, Masami, Takahashi, M., Tomokage, H.
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Volume:
194-199
Année:
2001
Journal:
Defect and Diffusion Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/DDF.194-199.617
Fichier:
PDF, 380 KB
2001
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