Numerical Simulation of 4H-SiC Metal Semiconductor Field...

Chinese Physics Letters 2011 / 07 Vol. 28; Iss. 7

Numerical Simulation of 4H-SiC Metal Semiconductor Field Transistors

Hsueh, Kuang-Po, Su, Shih-Tzung, Zeng, Jun
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Volume:
28
Langue:
english
Journal:
Chinese Physics Letters
DOI:
10.1088/0256-307X/28/7/078502
Date:
July, 2011
Fichier:
PDF, 364 KB
english, 2011
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