Temperature and drain bias dependence of single event...

Chinese Physics B 2012 / 08 Vol. 21; Iss. 8

Temperature and drain bias dependence of single event transient in 25-nm FinFET technology

Qin, Jun-Rui, Chen, Shu-Ming, Li, Da-Wei, Liang, Bin, Liu, Bi-Wei
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Volume:
21
Langue:
english
Journal:
Chinese Physics B
DOI:
10.1088/1674-1056/21/8/089401
Date:
August, 2012
Fichier:
PDF, 12.38 MB
english, 2012
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