A THz InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor...

Journal of Semiconductors 2013 / 05 Vol. 34; Iss. 5

A THz InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f max = 325 GHz and BV CBO = 10.6 V

Cheng, Wei, Wang, Yuan, Zhao, Yan, Lu, Haiyan, Gao, Hanchao, Yang, Naibin
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
34
Langue:
english
Journal:
Journal of Semiconductors
DOI:
10.1088/1674-4926/34/5/054006
Date:
May, 2013
Fichier:
PDF, 868 KB
english, 2013
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué