Electroluminescence properties of a PIN structure made by...

Vacuum 2009 Vol. 83; Iss. 5

Electroluminescence properties of a PIN structure made by nearly stoichiometric a-SiCx:H active layer

Kivanc Sel, Baris Akaoglu, Orhan Ozdemir, Ismail Atilgan
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Volume:
83
Année:
2009
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/j.vacuum.2008.07.014
Fichier:
PDF, 425 KB
english, 2009
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