HfO2 etching mechanism in inductively-coupled Cl2/Ar plasma

HfO2 etching mechanism in inductively-coupled Cl2/Ar plasma

Moonkeun Kim, Alexander Efremov, Hyun Woo Lee, Hyung-Ho Park, MunPyo Hong, Nam Ki Min, Kwang-Ho Kwon
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
519
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.tsf.2011.04.059
Fichier:
PDF, 515 KB
english, 2011
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué