Comparison of p-channel transistors based on...

Thin Solid Films 2010 Vol. 518; Iss. 18

Comparison of p-channel transistors based on α,ω-hexyl-distyryl-bithiophene prepared using various film deposition methods

Y. Didane, C. Martini, M. Barret, S. Sanaur, P. Collot, J. Ackermann, F. Fages, A. Suzuki, N. Yoshimoto, H. Brisset, C. Videlot-Ackermann
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Volume:
518
Année:
2010
Langue:
english
Pages:
10
DOI:
10.1016/j.tsf.2010.03.079
Fichier:
PDF, 1.11 MB
english, 2010
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