Molecular beam epitaxy of InGaN thin films on Si(111):...

Thin Solid Films 2009 Vol. 517; Iss. 24

Molecular beam epitaxy of InGaN thin films on Si(111): Effect of substrate nitridation

Yaroslav E. Romanyuk, Daniel Kreier, Yi Cui, Kin Man Yu, Joel W. Ager III, Stephen R. Leone
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Volume:
517
Année:
2009
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.tsf.2009.03.207
Fichier:
PDF, 580 KB
english, 2009
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