High Throughput SiC Wafer Polishing with Good Surface...

Materials Science Forum 2007 Vol. 556-557

High Throughput SiC Wafer Polishing with Good Surface Morphology

Kato, Tomohisa, Wada, Keisuke, Hozomi, Eiji, Taniguchi, Hiroyoshi, Miura, Tomonori, Nishizawa, Shinichi, Arai, Kazuo
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Volume:
556-557
Année:
2007
Langue:
english
Journal:
Materials Science Forum
DOI:
10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.753
Fichier:
PDF, 1.32 MB
english, 2007
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