Infrared PL Signatures of n-Type Bulk SiC Substrates with...

Infrared PL Signatures of n-Type Bulk SiC Substrates with Nitrogen Impurity Concentration between 1016 and 1017 cm-3

Glaser, E.R., Garces, N.Y., Caldwell, Joshua D., Carlos, W.E., Zvanut, Mary Ellen, Magnusson, Björn, Hansen, D.M., Chung, Gil Yong, Loboda, Mark J.

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Volume:

600-603

Année:

2009

Langue:

english

Journal:

Materials Science Forum

DOI:

10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.449

Fichier:

PDF, 1.65 MB

english, 2009

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