Study of the Mechanisms of Oxygen Precipitation in RTA...

Solid State Phenomena 2009 / 10 Vol. 156-158

Study of the Mechanisms of Oxygen Precipitation in RTA Annealed Cz-Si Wafers

Litovchenko, V.G., Lisovskyy, I.P., Voitovych, M., Sarikov, Andrey V., Zlobin, S.O., Kladko, V.P., Machulin, V.
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Volume:
156-158
Langue:
english
Journal:
Solid State Phenomena
DOI:
10.4028/www.scientific.net/SSP.156-158.279
Date:
October, 2009
Fichier:
PDF, 291 KB
english, 2009
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