MOCVD Growth of High-Hole Concentration (>2×1019 cm−3)...

MRS Proceedings 2008 / 1 Vol. 1123

MOCVD Growth of High-Hole Concentration (>2×1019 cm−3) P-Type InGaN for Solar Cell Application

Yu, Hongbo, Melton, Andrew, Jani, Omkar, Jampana, Balakrishnam, Wang, Shenjie, Gupta, Shalini, Buchanan, John, Fenwick, William, Ferguson, Ian
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Volume:
1123
Langue:
english
Journal:
MRS Proceedings
DOI:
10.1557/PROC-1123-1123-P07-02
Date:
January, 2008
Fichier:
PDF, 287 KB
english, 2008
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