Effect of the oxygen vacancy gradient in titanium dioxide...

Solid-State Electronics 2011 Vol. 63; Iss. 1

Effect of the oxygen vacancy gradient in titanium dioxide on the switching direction of bipolar resistive memory

Min-Gyu Sung, Sook Joo Kim, Moon Sig Joo, Jae Sung Roh, Cheolhwi Ryu, Seunghun Hong, Heonho Kim, Yong Soo Kim
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Volume:
63
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.sse.2011.05.007
Fichier:
PDF, 611 KB
english, 2011
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