Low threading dislocation density Ge deposited on Si...

Solid-State Electronics 2011 Vol. 60; Iss. 1

Low threading dislocation density Ge deposited on Si (1 0 0) using RPCVD

Yuji Yamamoto, Peter Zaumseil, Tzanimir Arguirov, Martin Kittler, Bernd Tillack
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Volume:
60
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/j.sse.2011.01.032
Fichier:
PDF, 878 KB
english, 2011
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