Junction temperature in n-ZnO nanorods/(p-4H–SiC, p-GaN,...

Solid-State Electronics 2010 Vol. 54; Iss. 5

Junction temperature in n-ZnO nanorods/(p-4H–SiC, p-GaN, and p-Si) heterojunction light emitting diodes

N.H. Alvi, M. Riaz, G. Tzamalis, O. Nur, M. Willander
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Volume:
54
Année:
2010
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/j.sse.2010.01.020
Fichier:
PDF, 428 KB
english, 2010
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