Mobility extraction in SOI MOSFETs with sub 1 nm...

Solid-State Electronics 2009 Vol. 53; Iss. 12

Mobility extraction in SOI MOSFETs with sub 1 nm body thickness

M. Schmidt, M.C. Lemme, H.D.B. Gottlob, F. Driussi, L. Selmi, H. Kurz
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Volume:
53
Année:
2009
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/j.sse.2009.09.017
Fichier:
PDF, 843 KB
english, 2009
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