Impact of electrostatics and doping concentration on the...

Solid-State Electronics 2009 Vol. 53; Iss. 10

Impact of electrostatics and doping concentration on the performance of silicon tunnel field-effect transistors

C. Sandow, J. Knoch, C. Urban, Q.-T. Zhao, S. Mantl
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Volume:
53
Année:
2009
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.sse.2009.05.009
Fichier:
PDF, 382 KB
english, 2009
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