High-k-oxide/silicon interfaces characterized by...

Solid-State Electronics 2008 Vol. 52; Iss. 9

High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy

B. Raeissi, J. Piscator, O. Engström, S. Hall, O. Buiu, M.C. Lemme, H.D.B. Gottlob, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, H.J. Osten
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Volume:
52
Année:
2008
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/j.sse.2008.04.005
Fichier:
PDF, 350 KB
english, 2008
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