Room temperature photoluminescence evaluation of...

Solid-State Electronics 2007 Vol. 51; Iss. 1

Room temperature photoluminescence evaluation of In0.29Al0.71As/In0.3Ga0.7As/GaAs metamorphic high electron mobility transistor structures

X.Z. Shang, Jing Wu, W.C. Wang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou
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Volume:
51
Année:
2007
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/j.sse.2006.11.003
Fichier:
PDF, 232 KB
english, 2007
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